发热情况有:
1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
分辨MOS管优劣的办法有二种:
一种:定性分辨MOS管的优劣
先用万用表R×10kΩ挡(内嵌有9V或15V充电电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅,源极中间电池充电,这时万用表表针有轻度偏转。再改成万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表标示值若为几欧母,则表明MOS管是好的。
第二种:定性分辨结型MOS管的电级
将万用表拨至R×100档,红表笔随意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬在空中。若发觉表针有轻微的晃动,就证实第三脚为栅极。欲得到更显著的观查实际效果,还可电子振动挨近或是用手指触碰悬在空中脚,只需见到表针作大幅偏转,即表明悬在空中脚是栅极,其他二脚分别是源极和漏极。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
mos管,是在集成电路里的带有绝缘性的场效应管。MOS 管作为半导体领域基础的器件之一,不管是在板级电路的应用上,还是IC的设计里,都十分广泛。MOS管的drain和source是可以相互调换过来的的,都是在P型backgate里形成的一个N型区。在普遍的情况下,这两个区都是相同的,就算这两段相互调换过来也是不会去影响到器件的性能。所以这器件被认为是对称的。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
就目前的半导体行业发展来说,MOS管是作为半导体行业里基础的器件之一,无论是在集成电路设计里,还是在板级电路的应用上都是十分广泛的。目前尤其是在大功率半导体行业里,各种结构不同种类的MOS管更是发挥着不可i替代的作用。
以上信息由专业从事2090mos厂家的炫吉电子于2024/6/17 12:12:09发布
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