南通红外显微镜系统了解更多「多图」 [苏州特斯特)]"内容：扫描显微镜是一种利用传播媒介的无损检测设备。在工作中采用反射或者透射等扫描方式来检查元器件、材料、晶圆等样品内部的分层、空洞、裂缝等缺陷。通过发射短波传递到样品内部，在经过两种不同材质之间界面时，由于不同材质的阻抗不同，吸收和反射程度的不同，进而的反射能量信息或者相位信息的变化来检查样品内部出现的分层、裂缝或者空洞等缺陷。先进的显微成像的技术是诸多行业领域在各类样品中检查和寻找瑕疵的重要手段。在检查材料又要保持完整的样品时，这项非破坏性检测技术的优势尤为突出。
微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electr;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。
EMMI微光显微镜
微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言，微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination会放出光子（Photon）。如在P-N结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴（或N端的电子）做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面，微光显微镜可分析P-N接面漏电；P-N接面崩溃；饱和区晶体管的热电子；氧化层漏电生的光子激发；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题.
以上信息由专业从事红外显微镜系统的苏州特斯特于2025/3/17 7:54:40发布
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